De bipolaire verbindingstransistor-BJT is een van de basiscomponenten van halfgeleiders.De BJT is gemaakt op een halfgeleidersubstraat met twee PN-koppelingen die heel dicht bij elkaar liggen.De twee PN-koppelingen verdelen de hele halfgeleider in drie delen.Het middendeel is het basisgebied en de twee zijden zijn het emissiegebied en het collectiegebied.

BJT-kenmerken die vaak bij het ontwerpen van schakelingen betrokken zijn, zijn onder meer stroomversterkingsfactor β, inter-elektrode omgekeerde stroom ICBO, ICEO, ICM,omgekeerde breukspanning VEBO,VCBO,VCEO en input- en outputkenmerken van BJT.

Input/Output Kenmerken van bjt

De BJT-invoer- en uitvoerkenmerkencurve weerspiegelt de relatie tussen de spanning en de stroom van elke elektrode van de bjt.De meest gebruikte bjt-kenmerkregen omvatten de inputkenmerkrege en de outputkenmerkrege:

Inputkenmerken van bjt

De ingangskenmerken van de bjt-curve geven aan dat wanneer de spanning Vce tussen de E-pool en de C-pool onveranderd blijft, de relatie tussen de ingangsstroom (d.w.z.de basisstroom IB) en de ingangsspanning (d.w.z., de spanning tussen de basis en de zender VBE) ; Wanneer VCE = 0, is dit gelijk aan een kortsluiting tussen de collector en de zender, dat wil zeggende emissie- en de collectieverbinding zijn parallel verbondenDe ingangskenmerken van de bjt-curve zijn dus vergelijkbaar met de volt-ampere kenmerken van de PN-koppeling en hebben een exponentiële relatie.de curve zal naar rechts verschuivenVoor transistors met een laag vermogen kan een ingangskarakteristieke curve met een VcE van meer dan 1V alle ingangskarakteristieken van bjt-curves met een VcE van meer dan 1V benaderen.

Outputkenmerken van bjt

De uitgangskenmerken van de bjt-curve tonen de relatiecurve tussen de transistoruitgangsspanning VCE en de uitgangsstroom IC wanneer de basisstroom IB constant is.Volgens de outputkenmerken van de bjt-curve,de werkende toestand van de bjt is verdeeld in drie gebieden.Snijdgebied: Het omvat een reeks werkkrommen met IB=0 en IB<0 (d.w.z. IB is tegengesteld aan de oorspronkelijke richting).Wanneer IB=0,IC=Iceo (de zogenaamde penetratie-stroom)Deze waarde is bij kamertemperatuur zeer klein. In dit gebied zijn de twee PN-koppelingen van de triode allebei omgekeerd vervormd,zelfs als de VCE-spanning hoog is,is de stroom Ic in de buis zeer klein,en de buis op dit moment is gelijk aan een open circuit staat van een schakelaarVerzadigingsgebied: De waarde van de spanning VCE in dit gebied is zeer klein, VBE>VCE-collector stroom IC stijgt snel met de toename van VCE.de twee PN-koppelingen van de triode zijn beide naar voren gerichtDe collectorverbinding verliest het vermogen om elektronen in een bepaald gebied te verzamelen en de IC wordt niet langer door IB gecontroleerd.en de buis is gelijk aan de op staat van een schakelaar. Vergroot gebied: In dit gebied is de emitterverbinding van de transistor naar voren en de collector naar achteren gericht. Wanneer VEC een bepaalde spanning overschrijdt, is de curve in principe vlak.Dit komt omdat wanneer de spanning van de collectieverbinding toeneemtHet grootste deel van de stroom die in de basis stroomt, wordt door de collector weggetrokken, dus wanneer de VCE blijft toenemen, verandert de huidige IC zeer weinig.Dat wil zeggen:, IC wordt bestuurd door IB,en de verandering van IC is veel groter dan de verandering van IB.△IC is evenredig aan △IB.Er is een lineaire relatie tussen hen,dus dit gebied wordt ook wel het lineaire gebied genoemd.In het versterkingscircuit, moet de triode worden gebruikt om in het versterkingsgebied te werken.

Het snel analyseren van bjt-kenmerken met bronmeters

Voor bjt-apparaten onder 1A zijn de bjt-kenmerken zoals spanning en stroomtechnische parameters ook verschillend.het wordt aanbevolen een testplan op te stellen met twee meetmeters voor de S-serieDe maximale spanning is 300V, de maximale stroom is 1A, en de minimale stroom is 100pA, die kan voldoen aan kleine PowerMOSFET-testbehoeften.

Voor MOSFET-kragtoestellen met een maximale stroom van 1A~10A wordt aanbevolen om twee P-serie-pulsbronmeters te gebruiken om een testoplossing te bouwen.met een maximumspanning van 300 V en een maximumstroom van 10 A.

Voor MOSFET-kragtoestellen met een maximale stroom van 10A~100A wordt aanbevolen om een P-serie pulsbronmeter + HCP te gebruiken om een testoplossing te bouwen.De maximale stroom is zo hoog als 100A en de minimale stroom is zo laag als 100pA.

bjt-kenmerken-omgekeerde stroom tussen polen

ICBO verwijst naar de omgekeerde lekstroom die door de collectieverbinding stroomt wanneer de zender van de triode open circuit heeft;IEBO verwijst naar de stroom van de zender naar de basis wanneer de verzamelaar in open circuit isHet wordt aanbevolen om voor het testen een Precise S-serie of een P-serie bronmeter te gebruiken.

bjt kenmerken-omgekeerde breukspanning

VEBO verwijst naar de omgekeerde breukspanning tussen de zender en de basis wanneer de collector open is;VCBO verwijst naar de omgekeerde breukspanning tussen de verzamelaar en de basis wanneer de zender open is,die afhankelijk is van de lawineafbraak van de collectieverbinding. Afbraakspanning;VCEO verwijst naar de omgekeerde afbraakspanning tussen de collectiever en de zender wanneer de basis open is,en het hangt af van de lawine breukspanning van de collectieverbinding. Bij het testen dient het overeenkomstige instrument te worden geselecteerd volgens de technische parameters van de breukspanning van het apparaat.bronmaatseenheidof de P-serie pulsbronmeter wanneer de uitvalspanning lager is dan 300V.De maximale spanning is 300V en het apparaat met een uitvalspanning van meer dan 300V wordt aanbevolen.de maximale spanning is 3500 V.

bjt-CV-kenmerken

Net als MOS-buizen karakteriseren bjt ook CV-kenmerken door middel van CV-metingen.